电子束蒸发在不同Ar气氛下外退火制备MgB_2超导薄膜

作者：吴克; 余增强; 张解东; 王守证; 聂瑞娟; 王福仁

来源：低温物理学报, 2006, (03): 212-218.

• MgB2薄膜
• 电子束蒸发
• 外退火
• 超导成相 MgB_2 thin films
• E-beam evaporation
• ex-situ annealing
• superconducting phase formation

制备高质量的MgB2薄膜是实现MgB2超导电子器件应用的前提和基础.我们用电子束蒸发B膜和Mg/B多层膜为前驱然后后退火的方法,分别在高温区(~900℃)和中温区(~750℃)成功获得了MgB2超导薄膜.改变退火的Ar气压条件,采用B膜前驱退火的样品Tc可达到38K以上,转变宽度0.3K.Mg/B多层膜的结果尽管Tc稍低(Tc~35K),但薄膜表面更加均匀,且避免了高温下Mg蒸汽污染的问题.对于两种前驱退火中观察到的完全不同的退火气压影响,我们认为是与其各自的超导成相过程相联系的,在此基础上我们对退火气压效应给出了自己的分析和解释,为今后进一步细致研究退火过程中的薄膜生长机制提供了参考.