1160nm光泵垂直外腔面发射激光器设计及制备

作者：张卓; 宁永强; 张建伟^*; 张继业; 曾玉刚; 张俊; 张星; 周寅利; 黄佑文; 秦莉; 刘云; 王立军

来源：中国激光, 2020, 47(07): 261-268.

• 激光物理
• 半导体激光器
• 光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
• 增益芯片
• 应变量子阱

1160 nm波段垂直外腔面发射半导体激光器(VECSEL)是医用橙黄激光的基频光源,但是其发光区的高应变InGaAs量子阱会引起严重的应变积累效应,限制高功率输出。提出一种在单个发光区内采用GaAsP材料对高应变InGaAs量子阱进行二次补偿的方法,保证发光区内的光学吸收层具有高的材料生长质量。提出含Al吸收层的结构,以降低GaAsP势垒引起的能带阻挡效应,提高了发光区光生载流子的注入效率。所制备的VECSEL器件激光波长为1160 nm,输出功率达1.02 W,并获得圆形对称的输出光斑形貌,光斑在正交方向上的发散角分别为10.5°和11.9°。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 发光学及应用国家重点实验室