氧化钨(WO3)作为重要的n型半导体,具有较大的禁带宽度范围(2.4~3.2eV),其优越的物理性能、化学性质引起了人们极大的研究兴趣。WO3在光催化、气体传感器等领域中都非常有潜力,文章主要对WO3的结构简述、制备方法行了总结,并对其目前的应用研究进行了具体分析和展望。