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摘要
本发明公开了一种基于二维半导体材料的红外探测元件及其制备方法,元件包括自下而上分布的衬底、沟道层和红外辐射吸收层,沟道层上分别设有源极、漏极、第一栅介质层和第二栅介质层,第一栅介质层采用具有热释电效应的介质层,第二栅介质层采用不具有热释电效应的介质层,沟道层为二维材料沟道层。本发明的红外辐射吸收层能吸收一定的红外辐射产生相应的温度变化,进而通过第一栅介质层的热释电效应产生极化电荷变化,配合第二栅介质层引起沟道电流变化,使得探测元件实现了放大功能,提高了灵敏度；以整个探测元件作为检测沟道电流变化的检测器件,提高了响应速度；沟道层利用了二维材料,降低了功耗,可广泛应用于半导体技术领域。
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