单晶硅片在磨削过程中会不可避免地产生亚表面微裂纹损伤。采用偏振激光散射检测方式对单晶硅片亚表面微裂纹损伤进行无损检测,得到其对应的检测信号强度,再利用有损检测方式对单晶硅片亚表面微裂纹损伤体积密度进行定量测定,建立检测信号强度与体积密度之间的对应关系并进行试验验证。结果表明:采用偏振激光散射检测方式得到的硅片亚表面微裂纹体积密度与有损检测方式的比较,其相对误差在10%以内;在不影响生产效率的前提下,偏振激光散射检测方式能无损、准确、快速地检测硅片的亚表面微裂纹。
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