N_2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响

作者：蔡文浩; 黄建浩; 李东升; 杨德仁

来源：材料科学与工程学报, 2009, (01): 132-134.

DOI：10.14136/j.cnki.issn1673-2812.2009.01.003

• 富硅氮化硅
• N2O等离子体
• 光致发光
• 电致发光 silicon-rich silicon nitride
• N_2O plasma
• photoluminescence
• electroluminescence

采用PECVD方法制备富硅氮化硅(SiNx)薄膜,并研究了N2O等离子体处理对SiNx薄膜光致发光(PL)及电致发光(EL)的影响。研究结果表明,N2O等离子体处理前后SiNx薄膜的PL发光峰均位于430nm处,且强度变化不大。而其EL发光峰位于600nm处,处理后强度有所提高。但经过高温热处理后,EL强度会大幅度降低。这主要是由于N2O等离子体处理在薄膜中引入N原子,这些N原子与Si原子结合,消除Si的悬挂键,降低了非辐射复合中心的浓度;而热处理后发生的原子重排,使得N原子与Si原子断开,进而与O原子结合,致使EL强度降低。

• 单位
  硅材料国家重点实验室