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摘要
文中针对串扰电压峰值与驱动回路阻抗间的非线性关系，分段分析共源电感存在时串扰产生机理，提出一种碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor,MOSFET)串扰电压的分析模型及预测算法。所提算法综合考虑共源电感、非线性极间电容等寄生参数与探头接线的影响，可实现引脚测量串扰电压的准确计算及器件内部串扰电压的提取。进一步，该算法针对栅极回路建模，并利用实测数据引入漏源电压与源极电流时变性，可适用于多桥臂电路及不同器件工况。最后，实验结果表明，所提算法可精准预测不同关断态驱动阻抗下的串扰峰值，其正向峰值平均预测误差仅为3.2%。该算法可为SiC MOSFET驱动电路设计提供定量计算参考。
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单位华中科技大学; 电子工程学院
