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摘要
运用空气加压渗流法制备了直径约1.0 mm、孔隙率高达60%的多孔铜样品,并利用多功能内耗仪对材料的阻尼行为进行了研究。结果表明,多孔铜的阻尼能力比致密铜的阻尼能力有了很大提高,同时在内耗-温度谱上发现有两个内耗峰,分别出现在280℃和400℃左右,激活能分别是1.69 eV和2.30 eV。TEM分析发现基体晶界附近存在大量的位错。经分析认为,低温峰起因于位错与晶界交互作用所引起的对晶界粘性滑移限制,高温峰则由晶界弛豫引起。
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单位材料科学与工程学院; 中国科学院; 安徽理工大学
