碳纳米墙场发射冷阴极电场性质研究

作者：罗宏超; 王微; 陈识璞; 成泰民

来源：南京工业职业技术学院学报, 2013, (02): 13-16.

DOI：10.15903/j.cnki.jniit.2013.02.002

• 碳纳米墙
• 场发射
• 冷阴极
• 电势分布
• 碳纳米管 carbon nanowall
• field emission
• cold cathode
• potential distribution
• carbon nanotube

利用静电场理论求解拉普拉斯方程,给出了碳纳米墙冷阴极的电势分布。根据电势和场强的梯度关系得到场强分布,发现在碳纳米墙顶端附近场强相对背景场有较大增强;在与碳纳米墙垂直方向上,场强较迅速地恢复为背景场;纳米墙顶端至阳极方向上,场强随场点与碳纳米墙的顶端距离的增大而迅速减小至一个固定值;纳米墙越高,场增强因子越大,尖端效应越明显,所得结论为碳纳米墙或碳纳米管作场发射材料提供了理论参考。

• 单位
  沈阳化工大学; 沈阳航空航天大学