一种GaAs纳米柱-石墨烯肖特基结太阳能电池及其制备方法

作者：**光; 林永鑫; 李国强; 温雷

来源：2018-12-13, 中国, CN201811525715.3.

本发明公开了一种GaAs纳米柱-石墨烯肖特基结太阳能电池,由下至上依次包括背电极、GaAs片、GaAs纳米柱、石墨烯层、正电极。所述GaAs纳米柱高度为500-3000nm,直径为15～100nm。本发明还公开了一种GaAs纳米柱-石墨烯肖特基结太阳能电池的制备方法。本发明通过生长纳米柱,增大肖特基结的面积,提高光的利用效率,实现太阳能电池高的光电转换效率；本发明的方法简单,成本低。

• 单位
  华南理工大学