110 kV三相共箱式盆式绝缘子屏蔽内环优化

作者：高锵源; 张建宏; 杨怡杰

来源：高压电器, 2019, 55(08): 198-204.

DOI：10.13296/j.1001-1609.hva.2019.08.028

• 盆式绝缘子
• 电场优化
• 屏蔽内环
• 表面电场

为了降低110 kV盆式绝缘子表面的电场强度,提高产品运行的可靠性。文中采用三维建模和有限元电场仿真,对表面电场的影响因素进行查找。仿真结果表明,由于屏蔽内环的存在,会对盆式绝缘子的表面电场分布产生影响。通过分析屏蔽内环的结构变化对表面电场的影响规律,提出采用双屏蔽内环结构用于改善绝缘子表面电场强度。在不断的模型修改和仿真结果对比后,选择D=5.29 mm、R=212.6 mm、V=11.93 mm作为双屏蔽内环的优化参数。优化后绝缘子表面最大电场强度降低了8.15%,密封圈交界处、空气间隙和屏蔽内环交界处最大电场强度较优化前分别降低了-0.35%、36.16%、39.45%。由于双屏蔽内环可以有效降低盆式绝缘子表面的电场强度,对于产品小型化设计及提高设备运行的可靠性,具有理论参考意义。

• 单位
  麦克奥迪(厦门)电气股份有限公司; 国网福建省电力有限公司; 国网冀北电力有限公司检修分公司