石墨烯制备新方法及其在场效应晶体管中的应用

作者：于法鹏; 孙丽; 张晶; 杨乐陶; 杨志远; 李妍璐; 赵显^*

来源：微纳电子与智能制造, 2019, 1(01): 65-87.

DOI：10.19816/j.cnki.10-1594/tn.2019.01.007

• 石墨烯
• 单晶
• CVD
• 点籽晶
• SiC衬底
• 场效应晶体管

石墨烯具有非常优异的电学、热学和力学性质,是一种有重要应用前景的二维新材料。单晶石墨烯具有高于商用硅片几十倍的载流子迁移率(理论可达2×105cm2/V·s)以及优良的电子传输特性,在微纳电子器件领域有着重要应用前景。石墨烯基微纳电子器件的设计及性能提升得益于单晶石墨烯品质的提高,这依赖于制备方法的改进和技术新突破。从石墨烯基本特性出发,介绍了石墨烯的制备和表征方法 ,以微纳电子器件应用为目的 ,总结了当前有应用前景的石墨烯制备新方法和新工艺,包括"智能衬底"CVD法"、点籽晶"诱导生长法和"内外碳源协同"法。最后,简单介绍了石墨烯在场效应晶体管中的新应用。

• 单位
  山东大学