不同的集成电路制造工艺,对平衡温度时的带隙基准电压值有影响。为此,本文提出了通过改变带隙基准电压输出级电路结构的方法,实现了在基准电路内部可精确调整基准电压中心值,以满足在不同工艺条件下电路系统对基准电压中心值的精度要求。本芯片根据CSMC公司0.5μm CMOS混合信号工艺模型设计并进行流片。测试结果表明,本文提出的方法能调整基准电压中心值。利用这种方法,可以实现带隙基准电压中心值宽范围的可调,使基准电压的输出完全符合系统所需。
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