铁杂质对真空定向凝固多晶硅电阻率的影响

作者：高志明

来源：化工设计通讯, 2018, 44(09): 78.

• Fe杂质
• 真空定向凝固
• 多晶硅
• 电阻率
• 赋存形式

应用有效的测试仪器和分析设备对真空定向凝固多晶硅中铁杂质的赋存形态,以及硅锭从底部到顶部的四个特征位置的径向电阻率的分布情况进行研究。研究表明,铁杂质在真空定向凝固多晶硅之中主要以α-Fe(Si)和β-Fe(Si)两种赋存形态存在。