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摘要
在现今这个大数据及后摩尔时代，集成电路制造领域同时面临着机遇与挑战。由于器件的尺寸微缩逐步到了其物理极限，国际半导体技术蓝图ITRS/国际器件系统路线图IDRS预测需要新的器件与材料来应对目前集成电路制造领域面临的困难与挑战。二维材料的发现与提出，给电子器件领域提供了新的思路。经过石墨烯，二硫化钼等二维材料电子器件的开发与测试，硒氧化铋，作为新一代二维层状半导体材料成为了电子器件领域新的热点方向。本文从硒氧化铋的晶格结构、材料生长、晶体管、忆阻器、神经形态器件等5个方面进行简要介绍，也对基于二维层状硒氧化铋电子器件的发展进行展望。
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