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摘要
GaN HEMT具有的大功率、高频率特性使其在空间应用中具有广阔的前景,GaN HEMT的空间辐射效应也引起了人们的广泛关注。然而GaN HEMT器件并没有完全体现出其材料优越的抗辐射能力,研究认为器件结构和制造工艺是导致器件和材料间抗辐射能力差距的主要原因之一。半导体制造工艺中通常采用钝化层进行隔离、保护以及调整反射率等来近一步提升器件性能,本文分析了钝化层对二维电子气(2DEG)和AlGaN/GaN异质结表面势垒高度的影响,讨论了不同钝化层结构GaN HEMT的辐射响应及退化机理,认为钝化层可有效改善GaN HEMT的抗辐射能力。
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