本文提出了一种用于毫米波氮化镓基高电子迁移率晶体管的肖特基欧姆复合漏极技术。肖特基金属在漏极欧姆区域的延伸减小了实际源极-漏极间距,从而使导通电阻减小和饱和电流提高。由TCAD仿真结果可知,漏极区域延伸的肖特基金属可以调节电场分布,从而提高了击穿电压,改善器件可靠性。在30 GHz的连续波大信号测试中,Vds=30 V时的峰值功率附加效率（PAE）为45.5%,饱和输出功率密度(Pout)为8.5 W/mm。
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