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摘要
本发明属于光电材料领域,公开了一种核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列及其制备方法。所述核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列以CuO纳米棒为核,以ZnO纳米晶层为壳。所述制备方法为：直接采用Cu片为基底或在非Cu材料基底上生长一层Cu膜,然后采用电场辅助热氧化法加热处理,在基底上得到CuO纳米棒；采用溅射沉积的方法在CuO纳米棒表面制备ZnO纳米晶层,得到所述核壳结构CuO/ZnO纳米棒阵列。本发明通过ZnO壳来调节CuO纳米棒的电学和光学性质,CuO/ZnO核壳纳米棒展现出新的基于p型半导体的自整流电阻开关行为,提供了一个克服非易失存储器中潜电流问题的有效途径。
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