直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列的制备及其发光性质研究

作者：李婷; 方芳; 周政; 赵海峰; 方铉; 李金华; 楚学影; 魏志鹏; 房丹; 王晓华

来源：发光学报, 2014, 35(10): 1188-1193.

• CVD
• 直立
• Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列
• 发光特性

利用化学气相沉积法(CVD)在表面溅射Au和沉积ZnO籽晶的硅衬底上分别生长高度有序、垂直密布的直立Zn2GeO4/ZnO纳米棒阵列,利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)和光致发光(PL)谱测试手段对所制备样品进行表征和发光特性的研究。所制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒的直径为350400 nm,高度为1011μm;室温PL谱观察到3个来源于Zn2GeO4的典型发光峰。最后,对CVD法制备的Zn2GeO4/ZnO纳米棒生长机理进行了分析。该种直立性良好的一维纳米棒材料可以广泛地应用到纳米光电子器件中。

• 单位
  南昌大学; 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所; 发光学及应用国家重点实验室; 长春理工大学