静电放电作用下双极型硅半导体晶体管仿真分析

作者：吴东岩; 谭志良; 谢鹏浩; 马立云

来源：科学技术与工程, 2013, (30): 8916-8920+8927.

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为了研究静电放电对双极型硅晶体管的损伤机理,针对典型的NPN结构的双极型晶体管,运用Medici仿真软件建立了器件的仿真模型。从分析器件内部电流、电势、电场强度和电流密度分布变化出发,研究了在静电放电电磁脉冲作用下其内在损伤过程与机理。通过仿真分析,一方面验证了该类器件对ESD最敏感的端对为CB结,而不是EB结;另一方面发现ESD对该类器件的损伤主要是过热损伤模式,损伤机理为热二次击穿。但两者机理有所不同。对于高掺杂的发射结反偏时先是发生了齐纳击穿,而后发生雪崩击穿,属于软击穿;而低掺杂的集电结反偏时只是发生了雪崩击穿,属于硬击穿。

• 单位
  中国人民解放军陆军工程大学