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摘要
以淀粉和工业水玻璃为原料,经过碳热还原反应制备出碳化硅纳米线。采用XRD、SEM、氮吸附-脱附和荧光光谱仪(PL)对所制备的样品进行表征,同时考察了碳硅比(物质的量比,下同)对碳化硅形貌、比表面积和荧光性能的影响。结果表明,当碳硅比为4.5时,合成的碳化硅为直的纳米线,比表面积为45m2/g,发光强度也达到最大。
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单位太原科技大学; 煤转化国家重点实验室; 中国科学院研究生院; 中国科学院山西煤炭化学研究所
以淀粉和工业水玻璃为原料,经过碳热还原反应制备出碳化硅纳米线。采用XRD、SEM、氮吸附-脱附和荧光光谱仪(PL)对所制备的样品进行表征,同时考察了碳硅比(物质的量比,下同)对碳化硅形貌、比表面积和荧光性能的影响。结果表明,当碳硅比为4.5时,合成的碳化硅为直的纳米线,比表面积为45m2/g,发光强度也达到最大。
