低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜

作者：薛双喜; 王浩; S P Wong

来源：Acta Physica Sinica, 2007, (06): 3533-3538.

• 磁记录材料
• CoPt
• 纳米复合膜 magnetic recording materials
• CoPt
• nanocomposite film

采用磁控溅射(Ag/Cu/CoPt)n多层膜先驱体结合真空退火的方法制备了一系列CoPtCu/Ag纳米复合薄膜,通过优化薄膜中Ag以及Cu的含量,成功制备出了低相变温度垂直取向的CoPtCu/Ag纳米复合膜,该膜在450℃退火即可发生相变,该温度比目前所报导的CoPtAg纳米复合膜的相变温度降低了150℃.实验结果表明,薄膜中一定含量的Ag元素能够有效诱导薄膜的(001)取向,Cu元素的加入能有效降低薄膜的有序化温度.对于特定组分为Co40Pt36Cu8Ag16的薄膜,经500℃退火后已经显示了明显的(001)取向,垂直于膜面方向上的矫顽力为5.0×105A/m,并且薄膜中晶粒尺寸仅为4—5n...

• 单位
  台州学院; 香港中文大学; 湖北大学