本发明公开了一种基于二维材料晶体管的阶梯电极结构及其制备方法,属于半导体技术领域,本发明中二维材料晶体管是指沟道中采用二维半导体材料的晶体管。阶梯电极结构是指晶体管电极与沟道二维材料的每层接触面,随着不同层厚高低起伏,呈现阶梯状。本发明的制备方法包括：光刻胶旋涂、图形化曝光、刻蚀、金属镀膜、镀膜剥离。本发明提出的一种基于二维材料晶体管的阶梯电极结构,解决了二维材料与金属电极接触的问题,降低了接触电阻,提高了电荷迁移率。此发明为二维材料在晶体管中的广泛应用提供了基础。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
