科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
摘要
Janus结构在热电材料中具有实际的应用价值，近年来其成功制备引起了广泛的关注。从理论上研究了二维(2D) Janus Mg2P2S3Se3单层的热电性能。Janus Mg2P2S3Se3单层是直接带隙半导体，带隙为2.01 eV。在300 K下，电子和空穴载流子迁移率分别为1 379.66和300.14 cm2V-1s-1。在室温下晶格热导率κ1为8.31 Wm-1K-1。此外，在恰当掺杂载流子浓度下，800 K时Janus Mg2P2S3Se3的n型和p型最大热电优值zT分别为2.24和0.91。计算结果表明，Janus Mg2P2S3Se3单层是一种潜在的n型候补热电材料。
- 单位
