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摘要
本发明公开了一种用于透射电镜原位电学测试的限制型存储单元制备方法,利用聚焦离子束将透射电镜原位样品杆的探针针尖削平,作为限制型存储单元的底电极,在底电极上沉积介质层,利用聚焦离子束在介质层上打孔,依次沉积存储材料、顶电极,随后利用聚焦离子束减薄形成薄片,再分割成多个独立的电学测试单元,随后将其放入透射电镜中,用探针连接其顶电极,形成电流回路。本发明通过制备限制型存储单元的方法对存储材料加以保护,减少了常规透射电镜制样需要转移样品的步骤,避免了材料在透射电镜原位电学测试过程中挥发的可能性。该存储单元结构简单,制备方便,电极和存储材料之间欧姆接触良好,存储材料的尺寸精确可控。
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