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摘要
碲镉汞材料(HgCdTe)是第三代红外探测系统中使用的重要探测材料，其发展水平能基本反映当前红外探测器最优性能指标。近年来，天文、遥感和民用设备对探测器性能提出了更高的要求，这对HgCdTe红外探测器的设计和制备提出了新的挑战。HgCdTe红外探测器更精细的设计和加工技术为提高HgCdTe红外探测器性能提供解决思路。抑制器件的有害局域场、调控器件的有益局域场可以实现器件性能进一步的突破。但是，如何对HgCdTe光电器件局域场进行表征与分析，澄清HgCdTe光电器件中局域场相关的噪声及暗电流起源，是推动器件性能突破需解决的重要关键科学与技术问题。文中将总结HgCdTe红外光电探测器局域场表征与分析的研究进展，为新一代HgCdTe红外光电探测器发展提供基础支撑。
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单位中国科学院大学; 高等研究院; 中国科学院上海技术物理研究所
