摘要

本发明公开了一种基于硅基透镜的钪掺杂AlN高频超声换能器的制备方法,该基于硅基透镜的钪掺杂AlN高频超声换能器的制备方法具体步骤如下:S1:硅基透镜的制作,S2:底部电极的制作,S3:顶部电极的制作,S4:顶部电极、底部电极与SMA接口连线。本发明中,透镜材料选用硅,相比于传统蓝宝石透镜使用的传统的研磨技术,硅基透镜可以使用非机械的刻蚀技术,对于高级换能器结构,使在硅基透镜上制作多层透镜成为可能,并且硅晶体比蓝宝石晶体成本更低。透镜制备过程使用了MEMS光刻和刻蚀技术,使制作的微小的声透镜具有高度球状和较小的表面粗糙成为可能,并且可以制作一批一致性良好的透镜。