纤锌矿GaN和AlGaN体材料输运特性的解析模型及其应用研究

作者：姚庆阳

来源：其他, 2011.

• 输运特性
• GaN
• AlGaN
• 耿式二极管 transport properties
• GaN
• AlGaN
• Gunn diode

常规半导体微波功率器件已经发展到其性能极限。为了满足无线通信的未来需要,宽禁带半导体GaN和SiC成为研究的热点。GaN基GUNN器件被认为是300GHz以上,甚至太赫兹频率范围极具潜力的微波功率器件。但是人们对GaN基材料(包括GaN,AlN,InN以及它们的合金)的输运等电学特性的认识和理解尚不完全,对影响GaN基GUNN器件性能的因素和规律的探索和研究刚刚起步,认识不足,这些因素都限制了GaN基GUNN器件设计和应用的步伐。 本文即在此背景下对纤锌矿GaN和AlGaN体材料的输运特性、影响GaN基GUNN器件性能的因素和规律等内容进行了较深入的研究。主要研究结果如下: 1...

• 单位
  西安电子科技大学