C、N、F掺杂对VO2电子结构影响的研究

作者：万金玉; 刘怡飞; 李雪娇

来源：人工晶体学报, 2020, 49(02): 239-258.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2020.02.008

• 第一性原理
• 二氧化钒
• 态密度

二氧化钒(VO2)是一种热至变色材料,在临界温度340 K有金属-半导体相变。第一性原理计算结果发现:C、N、F元素以1.56%、3.13%、4.69%的原子浓度掺杂M1相VO2的带隙Eg1降低到0.349～0.612 eV,其中氮元素以4.69%的浓度掺杂VO2的带隙Eg1最小(0.349 eV)。在C、N、F掺杂M1相VO2体系中,3.13%的N掺杂可以有效降低相变温度,并且对可见光透过率影响不大,所以3.13%的N原子掺杂VO2可以在实际中应用。

• 单位
  中国科学院上海应用物理研究所; 福建医科大学附属第二医院; 泉州医学高等专科学校