高分子辅助沉积法制备氧化物和氮化物薄膜

作者：林媛; 杨丹丹; 代超; 刘升华; LUOHM; JIAQX

来源：电子科技大学学报, 2009, (05): 524-530.

• 氧化物薄膜
• 外延生长
• 高分子辅助沉积法
• 氮化物薄膜 epitaxial growth
• nitride thin films
• oxide thin films
• polymer assisted deposition

高分子辅助沉积法是近年来发展起来的一种薄膜沉积方法。该方法利用高分子与金属键合形成均匀稳定的溶液,将溶液涂覆在基片上后,通过热处理使高分子分解而形成薄膜。该文介绍了使用该方法制备的一些具有代表性的氧化物和氮化物薄膜,包括简单氧化物/氮化物,如TiO2、GaN和AlN等,复杂氧化物/氮化物如(Ba,Sr)TiO3、Ti1-xAlxN等。通过X射线衍射、透射电镜、介电测试和光学测试等方法对薄膜的结构和性能进行了表征和分析,并探讨了基片和工艺条件对结构和性能的影响。这些结果表明高分子辅助沉积法可以广泛应用于制备各种高质量的氧化物和氮化物薄膜。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室; Los Alamos