基于应变Si/SiGe的CMOS电特性模拟研究

作者：舒斌; 张鹤鸣; 任冬玲; 王伟

来源：半导体技术, 2007, (5): 397-401.

DOI：10.3969/j.issn.1003-353X.2007.05.008

• 异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管
• 应变Si
• 应变SiGe
• 垂直层叠

提出了一种应变Si/SiGe异质结CMOS结构,采用张应变Si作n-MOSFET沟道,压应变SiGe作p-MOSFET沟道,n-MOSFET与p-MOSFET采用垂直层叠结构,二者共用一个多晶SiGe栅电极.分析了该结构的电学特性与器件的几何结构参数和材料物理参数的关系,而且还给出了这种器件结构作为反相器的一个应用,模拟了其传输特性.结果表明所设计的垂直层叠共栅结构应变Si/SiGe HCMOS

• 单位
  宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室; 西安电子科技大学