一种新型双Fin ESD防护单元研究

作者：成建兵; 周嘉诚; 刘立强; 张效俊; 孙旸

来源：微电子学, 2023, 53(02): 321-325.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.220087

• 鳍式场效应晶体管
• 电导调制
• 深掺杂
• 静电放电

为满足小尺寸器件的ESD防护需求，基于Fin技术，提出了一种具有寄生SCR的STI双Fin结构。通过采用双Fin布局和深掺杂技术，减小了器件的基区宽度，避免了Fin技术中由弱电导调制导致的SCR无法开启的现象。仿真结果表明，相比于DFSD结构，新结构失效电流It2/Wlayout从21.67 mA/μm增加到28.33 mA/μm;触发电压Vt1从14.08 V减小到9.64 V。在ESD来临时，新结构能够实现有效的开启，泄放大电流。

• 单位
  南京邮电大学