ZnO基异质结紫外探测器光电特性研究

作者：张彩珍^*; 戴明娇; 闫升荣

来源：半导体光电, 2023, 44(06): 832-836.

DOI：10.16818/j.issn1001-5868.2023070401

• ZnO
• 异质结
• 紫外探测器
• 光电特性
• 响应度

n-ZnO/p-Si异质结紫外探测器存在响应度低和响应范围广的问题，为了获得更好的紫外探测性能，设计了一种n-ZnO/p-SiC异质结紫外探测器。应用TCAD仿真软件模拟了n-ZnO/p-SiC异质结紫外探测器的光学和电学特性，模拟结果表明：n-ZnO/p-SiC异质结紫外探测器暗电流为10-15 A,较n-ZnO/p-Si异质结紫外探测器降低了一个数量级；ZnO/p-SiC探测器响应度高达0.41 A/W,较n-ZnO/p-Si器件提高了156%,且n-ZnO/p-SiC紫外探测器仅对紫外光有响应，有效抑制了n-ZnO/p-Si紫外探测器对可见光的响应。

• 单位
  兰州交通大学