AlAsSb的外延再生长对InAs/GaSb红外探测器暗电流抑制效果研究

作者：严定钰; 沈祥^*; 王庶民; 石张勇; 张焱超; 张凡

来源：宁波大学学报(理工版), 2023, 36(03): 87-93.

• 外延再生长
• 表面钝化
• InAs/GaSb Ⅱ类超晶格
• 长波红外探测器
• 湿法刻蚀

采用分子束外延(MBE)技术外延再生长AlAsSb,对InAs/GaSb Ⅱ类超晶格(T2SLs)长波红外探测器的表面缺陷进行钝化,实现了暗电流的显著降低.首先,研究了湿法腐蚀浅台面的最佳腐蚀液配比,获得了低横向腐蚀、光滑的侧壁以及均匀的腐蚀界面.随后,使用AlAsSb/AlAs/GaAs、AlAsSb/GaSb两种不同的外延再生长组合和单一的SiO2薄层分别对刻蚀后的台面进行钝化,同时保留一个没有钝化的样品作为对照,最后对4种不同钝化条件下探测器的暗电流特性进行了测量.结果发现,使用AlAsSb/GaSb外延再生长钝化层的器件暗电流得到了进一步降低,使用SiO2钝化层的效果次之,而使用AlAsSb/AlAs/GaAs外延再生长钝化层的性能相对较差.上述结果表明,外延再生长钝化技术是降低长波红外探测器暗电流的一种有效方法.

• 单位
  宁波大学