铜掺杂BiVO4的制备及光生电荷性质研究

作者：樊海梅; 颜桂炀; 黄仁昆

来源：宁德师范学院学报(自然科学版), 2016, 28(01): 40-44.

DOI：10.15911/j.cnki.35-1311/n.2016.01.012

• Cu-BiVO4
• 光催化
• 光生电荷

通过溶剂热的方法制备了掺杂量不同的Cu-Bi VO4纳米纺锤体,其长径约为1μm,短径长约为500nm,Cu的存在使Bi VO4光催化降解亚甲基蓝(MB)的活性明显增强.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及瞬态表面光电压技术(TPV)对材料的结构及光生电荷性质进行研究.XRD和SEM结果表明铜的存在对Bi VO4的晶型及形貌并没有显著的影响,而TPV的结果表明铜的存在促进了Bi VO4纳米材料光生电荷的分离,抑制其光生电荷的复合,从而提高了材料的光催化活性.

• 单位
  宁德师范学院