由于特殊的应用场景，光电晶体管与普通晶体管在性能参数和结构设计上存在较大差异，在器件设计时需要兼顾各项参数的影响。通过理论及仿真计算结合实验流片，归纳出工艺过程中影响NPN光电晶体管反向击穿的几种因素，包括掺杂浓度、结深以及放大倍数等，进而提出了可以提升光电晶体管耐压的工艺改进措施，实现了发射极反向击穿电压提高约20%，集电极-发射极反向击穿电压超过400 V。
科研之友
微信
新浪微博
Facebook
分享链接
