快速凝固和热压高锰硅的微观结构和热电性能

作者：刘晓虎; 赵新兵; 倪华良; 陈海燕

来源：功能材料与器件学报, 2004, (02): 231-235.

• 高锰硅
• 快速凝固
• 热压
• 热电性能
• 热电材料 higher manganese silicide
• thermoelectric properties
• thermoelectric materials
• rapid solidification
• hot pressing

用快速凝固和热压烧结方法制备了三种不同成分的P型高锰硅(HMS)材料MnSi_(175-x)(x=0,0.02,0.04)。微观组织结构分析表明,在Mn_4Si_7半导体相基体中,存在小区域平行分布的薄片状MnSi金属相,其形成机制是在快速凝固时的准定向凝固。随高锰硅中Si含量的增加,试样的电导率下降,Seebeck系数上升。分析表明,影响高锰硅性能的主要因素在400℃以下是载流子散射,在约500℃以上是电子激发。实验得到的热电功率因子最高值为1.3×10~(-3)Wm~(-1)K~(-1)(570℃)。

• 单位
  硅材料国家重点实验室