APCVD法制备Nb∶TiO2薄膜及其光电性能

作者：杨磊; 刘涌; 王慷慨; 丛炳俊; 程波; 陆妍; 林俊君; 宋晨路

来源：材料科学与工程学报, 2015, 33(04): 526-541.

DOI：10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.012

• 透明导电氧化物薄膜
• 常压化学气相沉积
• 晶体质量
• 光电性能

透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率。目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点。NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分。本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶TiO2薄膜其电学性能得到明显改善。

• 单位
  深圳市德厚科技有限公司; 浙江大学; 硅材料国家重点实验室