摘要

SnO2是O=Sn=O结构,是一种n型、宽带隙(3.6 eV)半导体氧化物,因其独特的的电子、光学和热性能,而引起广泛关注。近年来,研究者制备了1D SnO2材料,如纳米棒、纳米管、纳米带、纳米线、纳米纤维、纳米晶须等纳米结构。采用热蒸发、溶胶凝胶法、微乳液法、水热法、化学气相沉积、静电纺丝、脉冲激光沉积和光刻等方法合成1D SnO2纳米结构,已成为介观物理和纳米器件的研究热点。本文对1D SnO2纳米结构的合成技术和生长机制的相关文献进行了调查,对1D SnO2形貌在Ag基电接触材料中的应用进行了综述。提出一维完美单晶材料是制备高性能电接触材料的发展方向。