异质结位置对缓变集电结SiGe HBT性能的影响

作者：雒睿; 张伟; 付军; 刘道广; 严利人

来源：半导体学报, 2008, 29(8): 1491-1495.

DOI：10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.015

• SiGe HBT
• 集电结
• HBE
• 相对位置
• 器件性能

研究了npn型SiGe HBT集电结附近的异质结位置对器件性能的影响.采用Taurus-Medici 2D器件模拟软件,在渐变集电结SiGe HBT的杂质分布不变的情况下,模拟了各种异质结位置时的器件直流增益特性和频率特性.同时比较了处于不同集电结偏压下的直流增益和截止频率.分析发现即使没有出现导带势垒,器件的直流和高频特性仍受SiGe层中性基区边界位置的影响.模拟结果对SiGe HBT的设计和分析都具有实际意义.

• 单位
  清华大学