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摘要
在-160℃—200℃温度范围内、0.1 Hz—0.1 MHz频率范围内测量了ZnO压敏陶瓷的介电频谱,发现可以采用电导率谱低频端的类直流特性来表征晶界Schottky势垒的电子输运过程,获得的Schottky势垒高度为0.77 eV.基于背靠背双Schottky势垒模型,提出当存在直流偏压时,势垒高度将随直流偏压线性增大.基于此势垒模型计算了ZnO压敏陶瓷单晶界的直流偏压大小,进而计算出晶粒平均尺寸为6.8μm,该理论值与通过扫描电子显微镜断面照片获得的测量值的偏差在5%以内.可见采用介电谱不但可以获得势垒高度实现电气性能的表征,还能获得晶粒尺寸实现显微结构的表征.
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