化学气相沉积法(CVD)制备的金属纯钨在不同表面存在较大的晶粒尺寸差异。从氧化膜层的成长规律、相组成及微观结构方面,研究了在干燥空气、800℃下晶粒尺寸对CVD钨高温氧化行为的影响。结果表明:不同表面氧化膜层厚度的差异是由于细晶粒纯钨在氧化时能更快地形成氧化膜,促进生成连续致密的氧化膜,提高了钨的抗氧化性能,晶粒尺寸对钨的氧化行为影响是正效应。随着细晶区的钨全部被氧化,此时表面和顶面的晶粒尺寸相同,底面和顶面的氧化速率趋于一致,此外,沉积层的氧化速率由于边缘效应的影响而明显增加。
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