小尺寸Si/Ge量子点内应变和组分的拉曼光谱表征

作者：谭平恒; 周霞; 杨富华; K.Brunner; D.Bougeard; G.Abstreiter

来源：光散射学报, 2004, (03): 203-207.

DOI：10.13883/j.issn1004-5929.2004.03.003

• 量子点
• 拉曼光谱
• 应变
• 组分
• Si-Ge原子互扩散 Quantum dots
• Raman scattering
• strain
• composition
• Si-Ge intermixing

本文详细地研究了原始生长和退火处理后的Si/Ge量子点的拉曼光谱。我们观测到了Si/Ge量子点的一系列本征的拉曼振动模以及Ge-Ge模的LO和TO声子峰间4.2cm-1的频率劈裂。通过这些参数,我们自洽地确定了原始生长的平面直径为20nm和高为2nm的Si/Ge量子点内Ge的平均组分为80%,平均应变为-3.4%。分析清楚地表明了这种小尺寸的Si/Ge量子点内的应变仍遵从双轴应变,并且应变的释放主要由量子点和Si隔离层间Si-Ge原子互扩散决定。

• 单位
  半导体超晶格国家重点实验室; 中科院半导体研究所