一种LED芯片及其制备方法

作者：李国强; 陈曦午; 柴华卿; 林志霆

来源：2019-12-21, 中国, CN201911331860.2.

本发明公开了一种LED芯片及其制备方法。所述LED芯片包括从下到上依次排列分布的导电衬底、n电极接触层、第一绝缘层、p接触反射镜金属及保护层、环形CBL(电流阻挡层)层、p型GaN层、InGaN/GaN多量子阱发光层、n型GaN层和第二绝缘层；嵌入式柱状N电极层分别插入键合金属层中并依次贯穿第一绝缘层等；嵌入式柱状N电极层的上表面和n电极接触层相连接并形成欧姆接触。本发明提供的LED芯片利用孔周围的CBL层设计可以在不增加电极孔数量即不损失发光面积的情况实现电流分布优化,进一步芯片提高亮度。

• 单位
  华南理工大学