退火条件对多晶硅薄膜光电性能的影响

作者：陈城钊; 邱胜桦; 陈洪财; 林璇英

来源：佳木斯大学学报(自然科学版), 2007, 25(2): 192-195.

DOI：10.3969/j.issn.1008-1402.2007.02.018

• 多晶硅薄膜
• 氢等离子体加热
• Raman谱
• FT-IR谱
• 暗电导率
• 光学带隙

采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜,用Raman散射谱和傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)等方法进行表征和分析.研究了退火的射频功率、衬底温度和退火时间对薄膜微结构和光电性能的影响.结果表明,薄膜的氢含量是影响薄膜光学带隙的主要因素,而薄膜的结晶度是影响薄膜暗电导率的主要因素.

• 单位
  韩山师范学院; 汕头大学