一种基于电源纹波前馈的高PSR的LDO

作者：鲁信秋; 魏秀凌; 明鑫; 王卓; 甄少伟; 张波

来源：微电子学, 2018, 48(05): 615-619.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.170503

• 前馈纹波抵消
• PSR带宽
• 环路增益

功率管栅端寄生电容的存在使得LDO的电源抑制特性(PSR)在中高频段变差。在前馈纹波抵消技术的基础上,通过在误差放大器输出端与功率管栅端之间引入具有低输出阻抗的电压跟随器,拓展了PSR带宽,实现了中高频段的高电源抑制特性。采用箝位电路,进一步提高了重载下的环路增益,保证负载范围内LDO在中高频段均具有较高的PSR。基于0.5μm CMOS工艺进行设计与仿真。结果表明,LDO的最大静态电流为80μA,功率管的压差电压为150mV,负载电流范围为50μA～25mA。在25mA负载电流下,LDO的PSR在100kHz时为-63dB,在10MHz时为-57.5dB。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学