0.115BiGaO3-(0.885-x)BiSc03-xPbTiO3高温压电陶瓷的制备及电学性能研究

作者:赵毅; 江一杭; 覃宝全; 姜昱志; 石维; 李丽华; 朱建国; ZHU Jian-guo
来源:中国集成电路, 2008, (5): 75-79.
DOI:10.3969/j.issn.1681-5289.2008.05.021

摘要

利用氧化物合成法制备了0.115BiGaO3(0.885-X)BiScO3-xPbTiO3(BGSPTx)(x=0.56-0.62)铁电陶瓷.x射线衍射分析(XRD)表明,当PbTi03含量(X)大于60%时,BGSPTx具有纯的钙钛矿结构.当x<60%时,体系存在微量杂相.随着PbTiO,含量的增加,BGSPTx由三方相演变到四方相,三方一四方准同型相界位于x=0.58附近.在准同型相界附近,

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