电力电子开关器件仿真模型分析和比较

作者：张薇琳; 张波; 丘东元

来源：电气应用, 2007, (09): 64-67.

• 功率二极管
• GTO
• 晶闸管
• MOSFET
• IGBT
• 仿真模型 Simulation models of power electronic devices
• including power diode
• GTO
• thyristor
• MOSFET and IGBT are presented. Their basic principles are descr ibed and their merits and limitations are remarked.

对电力电子开关器件如二极管、GTO、晶闸管、MOSFET和IGBT的现有仿真模型进行了归纳和总结,并比较了各种器件不同模型之间的优缺点和适用场合,由此为电力电子开关器件的分析提供研究基础。

• 单位
  华南理工大学