V_2O_5掺杂ZnO-Bi_2O_3-Co_2O_3-MnCO_3-TiO_2低压压敏陶瓷的微结构和电性能

作者：巨锦华; 王华; 许积文

来源：硅酸盐学报, 2011, (11): 1813-1818.

DOI：10.14062/j.issn.0454-5648.2011.11.006

• 压敏陶瓷
• 微结构
• 电性能 varistor ceramics
• microstructure
• electrical property

采用固相反应法制备V2O5掺杂的ZnO–Bi2O3–Co2O3–MnCO3–TiO2(ZBCMT)低压压敏陶瓷。利用X射线衍射、扫描电子显微镜、压敏电阻直流参数仪和阻抗分析仪研究了V2O5掺杂对ZBCMT陶瓷微结构、压敏性能、电场强度–电流密度特性和介电性能的影响。结果表明:掺摩尔分数为0.010%的V2O5时,ZBCMT陶瓷的综合性能最佳,压敏电压梯度为31.1 V/mm,漏电流密度为0.02μA/mm2,非线性系数为25,施主浓度Nd和界面态密度Ns的最小值分别为0.810×1018/cm3和2.632×1012/cm2,耗尽层宽度ω的最大值为32.49 nm,同时,出现了较高的势垒高度φ...

• 单位
  桂林电子科技大学