IGCT器件制造中的离子注入扩散技术

作者：张明

来源：大功率变流技术, 2006, (05): 23-25+45.

DOI：10.13889/j.issn.2095-3631.2006.05.005

• IGCT
• 离子注入扩散
• 杂质分布图 IGCT
• Ion implantation diffusion
• impurity profile

概述了电力电子器件中的扩散方法,提出了采用离子注入的试验方案,经试验得到了离子注入扩散的规律。在集成门极换向晶闸管(IGCT)器件的阴极端成功实现了硼、铝双杂质离子注入扩散层的正确分布,从而证实了该方法的可行性。

• 单位
  株洲南车时代电气股份有限公司